Crescimento de monocristais de silicio
Orientador: Zoraide P. Arguello === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T17:15:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Landers_Richard_M.pdf: 6492769 bytes, checksum: ef5d530f44f4711e62940252ee010a3f (MD5)...
Main Author: | Landers, Richard, 1946- |
---|---|
Other Authors: | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS |
Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
[s.n.]
1974
|
Subjects: | |
Online Access: | LANDERS, Richard. Crescimento de monocristais de silicio. 1974. 67 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277249>. Acesso em: 17 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277249 |
Similar Items
-
Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
by: Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti
Published: (1996) -
Crescimento de monocristais de alumínio pelo método Bridgman
by: Heinemann, Carmo
Published: (2017) -
Crescimento de monocristais de alumínio pelo método Bridgman
by: Heinemann, Carmo
Published: (2017) -
Crescimento de monocristais de alumínio pelo método Bridgman
by: Heinemann, Carmo
Published: (2017) -
Energia interfacial e interface de crescimento em sistemas cristal-melt
by: Landers, Richard, 1946-
Published: (1981)