Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores

Orientador: Antonio Carlos S. Algarte === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-25T08:44:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AntoniodosAnjosPinheiroda_D.pdf: 2783757 bytes, checksum: 2efdb3a703e2d78fa245c6a41...

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Bibliographic Details
Main Author: Silva, Antonio dos Anjos Pinheiro da
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1999
Subjects:
Online Access:SILVA, Antonio dos Anjos Pinheiro da. Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores. 1999. 126 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277294>. Acesso em: 25 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277294
id ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-277294
record_format oai_dc
collection NDLTD
language Portuguese
format Others
sources NDLTD
topic Mecânica estatística
Relaxação (Física nuclear)
Semicondutores
spellingShingle Mecânica estatística
Relaxação (Física nuclear)
Semicondutores
Silva, Antonio dos Anjos Pinheiro da
Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
description Orientador: Antonio Carlos S. Algarte === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-25T08:44:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AntoniodosAnjosPinheiroda_D.pdf: 2783757 bytes, checksum: 2efdb3a703e2d78fa245c6a41ab3b369 (MD5) Previous issue date: 1999 === Resumo: Neste trabalho foi estudado com certo grau de detalhe a cinética de relaxação ultra-rápida no plasma fotoinjetado em semicondutores polares. Empregando-se a teoria cinética não-linear, derivada do Método do Operador Estatístico de Não Equilíbrio, obteve-se as equações de evolução para o conjunto de variáveis macroscópicas que caracterizam o estado termodinâmico longe do equilíbrio de um modelo de semicondutor polar quando submetido a altos níveis de excitação óptica. Como um exemplo de aplicação do estudo do processo de relaxação em semicondutores, investigou-se para o caso do GaAs, a influência da blindagem da interação polar elétron-fônon, da difusão ambipolar e das populações de fônons ópticos na cinética ultra-rápida de evolução do plasma ao estado de equilíbrio. Alguns resultados previstos pelos cálculos do presente trabalho foram comparados com dados experimentais disponíveis na literatura observando-se uma boa concordância. As situações experimentais selecionadas permitiram uma interessante investigação da influência de duração e da intensidade do pulso na evolução do plasma. O papel da concentração de portadores sobre a relaxação foi também evidenciado através de modificações na intensidade da fonte (laser). A descrição das populações de fônons LO por modo é seguramente responsável pela boa concordância acima mencionada. Foram ainda explorados alguns aspectos relacionados à termodinâmica irreversível e obteve-se a evolução no tempo da produção de entropia e da taxa de produção de entropia. Em particular observou-se que, no exemplo considerado, o critério de evolução de Glansdorff-Prigogine e o teorema da mínima produção de entropia de Prigogine, são verificados, mesmo numa situação longe do equilíbrio térmico, que foi o caso considerado === Abstract: The ultra-fast relaxation kinetics of the photo-injected plasma in polar semiconductors has been analyzed with certain detail. Using the nonlinear kinetics theory which is derived from a particular non-equilibrium ensemble formalism (the Non-Equilibrium Statistical Operator Method) are obtained the equations of evolution for a set of macroscopic variables which characterized the macroscopic (thermodynamic) state of that far-from-equilibrium system. Particular attention was given to the case of GaAs: we studied the influence of the screening of the polar electron-phonon interaction, of the ambipolar diffusion, and of the differentiated excitation of the different optical phonon modes on such relation processes. Comparison of some of the theoretical results with experimental situations we considered allowed for an interesting investigation of the influence of the duration and intensity of the pumping laser pulse, in this pump-probe experiments, on the evolution of the non-equilibrium macroscopic state of the photo-excited plasma Considering several experiment protocols, the influence on the relaxation processes of the concentration of carriers and the differentiated population of the optical phonon modes have been analyzed, and have been verified the non- equilibrium thermodynamic properties consisting of Glansdorff-Prigogine's evolution criterion Prigogine's minimum entropy production theorem === Doutorado === Física === Doutor em Ciências
author2 UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
author_facet UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Silva, Antonio dos Anjos Pinheiro da
author Silva, Antonio dos Anjos Pinheiro da
author_sort Silva, Antonio dos Anjos Pinheiro da
title Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
title_short Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
title_full Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
title_fullStr Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
title_full_unstemmed Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
title_sort cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores
publisher [s.n.]
publishDate 1999
url SILVA, Antonio dos Anjos Pinheiro da. Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores. 1999. 126 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277294>. Acesso em: 25 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277294
work_keys_str_mv AT silvaantoniodosanjospinheiroda cineticaultrarapidadoplasmafotoinjetadoemsemicondutores
_version_ 1718873812463779840
spelling ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2772942019-01-21T20:31:02Z Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores Silva, Antonio dos Anjos Pinheiro da UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Algarte, Antonio Carlos Sales, 1944- Arruda, Alberto Sebastiao de Silva, Adao Antonio da Lauck, Leonardo Brasil, Maria José Santos Pompeu Mecânica estatística Relaxação (Física nuclear) Semicondutores Orientador: Antonio Carlos S. Algarte Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Made available in DSpace on 2018-07-25T08:44:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AntoniodosAnjosPinheiroda_D.pdf: 2783757 bytes, checksum: 2efdb3a703e2d78fa245c6a41ab3b369 (MD5) Previous issue date: 1999 Resumo: Neste trabalho foi estudado com certo grau de detalhe a cinética de relaxação ultra-rápida no plasma fotoinjetado em semicondutores polares. Empregando-se a teoria cinética não-linear, derivada do Método do Operador Estatístico de Não Equilíbrio, obteve-se as equações de evolução para o conjunto de variáveis macroscópicas que caracterizam o estado termodinâmico longe do equilíbrio de um modelo de semicondutor polar quando submetido a altos níveis de excitação óptica. Como um exemplo de aplicação do estudo do processo de relaxação em semicondutores, investigou-se para o caso do GaAs, a influência da blindagem da interação polar elétron-fônon, da difusão ambipolar e das populações de fônons ópticos na cinética ultra-rápida de evolução do plasma ao estado de equilíbrio. Alguns resultados previstos pelos cálculos do presente trabalho foram comparados com dados experimentais disponíveis na literatura observando-se uma boa concordância. As situações experimentais selecionadas permitiram uma interessante investigação da influência de duração e da intensidade do pulso na evolução do plasma. O papel da concentração de portadores sobre a relaxação foi também evidenciado através de modificações na intensidade da fonte (laser). A descrição das populações de fônons LO por modo é seguramente responsável pela boa concordância acima mencionada. Foram ainda explorados alguns aspectos relacionados à termodinâmica irreversível e obteve-se a evolução no tempo da produção de entropia e da taxa de produção de entropia. Em particular observou-se que, no exemplo considerado, o critério de evolução de Glansdorff-Prigogine e o teorema da mínima produção de entropia de Prigogine, são verificados, mesmo numa situação longe do equilíbrio térmico, que foi o caso considerado Abstract: The ultra-fast relaxation kinetics of the photo-injected plasma in polar semiconductors has been analyzed with certain detail. Using the nonlinear kinetics theory which is derived from a particular non-equilibrium ensemble formalism (the Non-Equilibrium Statistical Operator Method) are obtained the equations of evolution for a set of macroscopic variables which characterized the macroscopic (thermodynamic) state of that far-from-equilibrium system. Particular attention was given to the case of GaAs: we studied the influence of the screening of the polar electron-phonon interaction, of the ambipolar diffusion, and of the differentiated excitation of the different optical phonon modes on such relation processes. Comparison of some of the theoretical results with experimental situations we considered allowed for an interesting investigation of the influence of the duration and intensity of the pumping laser pulse, in this pump-probe experiments, on the evolution of the non-equilibrium macroscopic state of the photo-excited plasma Considering several experiment protocols, the influence on the relaxation processes of the concentration of carriers and the differentiated population of the optical phonon modes have been analyzed, and have been verified the non- equilibrium thermodynamic properties consisting of Glansdorff-Prigogine's evolution criterion Prigogine's minimum entropy production theorem Doutorado Física Doutor em Ciências 1999 2018-07-25T08:44:59Z 2018-07-25T08:44:59Z 1999-09-02T00:00:00Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis (Broch.) SILVA, Antonio dos Anjos Pinheiro da. Cinética ultra-rápida do plasma fotoinjetado em semicondutores. 1999. 126 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277294>. Acesso em: 25 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277294 por info:eu-repo/semantics/openAccess 126 p. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin Programa de Pós-Graduação em Física reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP