Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores

Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T21:59:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Frateschi_NewtonCesario_M.pdf: 1206138 bytes, checksum: 88ef3051795405029cd22...

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Bibliographic Details
Main Author: Frateschi, Newton Cesário, 1962-
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1986
Subjects:
Online Access:FRATESCHI, Newton Cesário. Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores. 1986. 69f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277322>. Acesso em: 14 jul. 2018.
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spelling ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2773222019-01-21T20:15:47Z Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores Frateschi, Newton Cesário, 1962- UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Castro, Antonio Rubens Britto de, 1940- [Orientado], Antonio Rubens Britto de Castro Lasers semicondutores Perturbação (Matemática) Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Made available in DSpace on 2018-07-14T21:59:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Frateschi_NewtonCesario_M.pdf: 1206138 bytes, checksum: 88ef3051795405029cd22e1d9b8e5040 (MD5) Previous issue date: 1986 Resumo: Desenvolvemos uma teoria de perturbação, baseada no esquema perturbativo de Au e Aharonov, para aplicação à equação de Helmholtz. Obtivemos, com esta teoria, o ganho modal num laser de heteroestrutura dupla, com perfil de índice de refração do tipo sech2, comparando os resultados com aqueles obtidos pelo "método do índice de refração efetivo". Testamos a teoria para aplicação a guias dielétricos cilíndricos, e portanto a fibras ópticas. Aplicamos a teoria no cálculo da corrente de limiar no laser "inverted gain profile" como função da energia do foton da emissão e da largura da região ativa. Discutimos soluções particulares para as equações elíticas que surgem na teoria de perturbação. Por último, baseado em resultados experimentais e nos estudos teóricos feitos neste trabalho sobre o laser "inverted gain profile" propomos um projeto de integração monolítica destes lasers num "laser-array", discutindo as características esperadas do seu funcionamento Abstract: Not informed. Mestrado Física Mestre em Física 1986 2018-07-14T21:59:14Z 2018-07-14T21:59:14Z 1986-10-29T00:00:00Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis FRATESCHI, Newton Cesário. Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores. 1986. 69f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277322>. Acesso em: 14 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277322 por info:eu-repo/semantics/openAccess 69f. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin Programa de Pós-Graduação em Física reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP
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