Estados eletrônicos de superfície e interfaces em semicondutores : Si-Sno2

• Main Author: Fulco, Paulo
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1984
• Subjects: Semicondutores; Interfaces (Computador)
• Online Access: FULCO, Paulo. Estados eletrônicos de superfície e interfaces em semicondutores: Si-Sno2. 1984. 124 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277586>. Acesso em: 14 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277586

Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-15T01:03:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fulco_Paulo_D.pdf: 2104697 bytes, checksum: f36d25523eb45dcf14c8604f517a6986 (MD5) Previous issue date: 1984 === Resumo: É desenvolvido uma técnica para calcular a densidade de estados de superfícies e interfaces. O método utilizado é o do Hamiltoniano de ligação forte, baseado no esquema de Slater-Koster. As funções de Green, surgidas do formalismo da teoria de espalhamento são desacopladas através do procedimento de renormalização. São estudadas as superfícies (100) do Si e SnO2, e a interface Si-SnO2, todas supostas ideais. Dentro desse esquema, realiza-se um estudo da origem, localização e caráter dos estados das superfícies e interface. Os resultados mostram que a técnica de renormalização reproduz o cálculo da densidade de estados efetuados por técnicas mais elaboradas. 0 teste foi realizado com as superfícies do Si e do SnO2 e a seguir foram obtidos resultados para a interface Si-SnO2 === Abstract: We develop a technique to calculate the density of state of surfaces and interfaces. The method used here is the tight-binding Hamiltonian based on the Slater-Koster approach. The Green functions, which arise from the formalism of the scattering theory, are decoupled through the renormalization's procedure. We study the ideal surface (100) of Si and SnO2, and the ideal interface Si-SnO2 This approach is used to investigate the origin, localization and behavior of the states on the surfaces and interfaces. Our results show that the renormalization technique gives the same density of state as it was found using more sophisticated techniques. We start with the surfaces of Si and SnO2 and we extend our calculations to a more complicated situation: the interface Si-SnO2 === Doutorado === Física === Doutor em Ciências