Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs

Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs

Orientador: Fernando Iikawa === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-08-06T18:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Godoy_MarcioPeronFrancode_D.pdf: 4057709 bytes, checksum: 0df1e56082150d4109dcf891f05d4da6 (MD5)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Godoy, Marcio Peron Franco de
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2006
Subjects:
Semicondutores - Propriedades óticas
Pontos quânticos
Magnetoptica
Heteroestruturas
Teoria de excitons
Semicondutores - Recombinação
Supercondutores do tipo II
Fator g
Semiconductors - Optical properties
Quantum dots
Magnetooptics
Heterostructures
Exciton theory
Semiconductors - Recombination
Type II
G factor
Online Access:GODOY, Marcio Peron Franco de. Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs. 2006. 100p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277715>. Acesso em: 6 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277715

Internet

GODOY, Marcio Peron Franco de. Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs. 2006. 100p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277715>. Acesso em: 6 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277715

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