Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs

• Main Author: Abbade, Marcelo Luís Francisco
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1997
• Subjects: Semicondutores
• Online Access: ABBADE, Marcelo Luís Francisco. Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs. 1997. 55f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Watagin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277776>. Acesso em: 23 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277776

Orientador: Fernando Iikawa === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Watagin === Made available in DSpace on 2018-07-23T03:23:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Abbade_MarceloLuisFrancisco_M.pdf: 953476 bytes, checksum: edf6ffafdcada1366617108564a3f2e8 (MD5) Previous issue date: 1997 === Resumo: Realizamos um estudo das propriedades ópticas de uma estrutura tipo HEMT de um poço quântico de GaAs/InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs com dopagem modulada. Neste estudo, utilizamos técnicas de medidas de espectroscopia de fotoluminescência, fotoluminescência de excitação, magnetoluminescência e de magnetotransporte. As amostras são altamente dopadas resultando em alta densidade bidimensional de elétrons. Os dados obtidos com a técnica de Shubnikov-de-Haas apresentam oscilações que são características de um sistema de gás bidimensional. O ponto principal discutido neste trabalho é sobre a observação experimental de transições indiretas nos espectros de fotoluminescência. Estas transições envolvem os estados eletrônicos do poço de potencial criado na barreira de AIGaAs, devido a dopagem planar, e o estado fundamental do buraco pesado do poço de InGaAs. Esta observação é sustentada pelos resultados do cálculo auto-consistente obtido das soluções das equações acopladas de Schrodinger e de Poisson === Abstract: We report a study on optical properties of a GaAs/ InGaAs/ AIGaAs modulation doped quantum well HEMT structure. In this study we performed photoluminescence, photoluminescence excitation, magnetoluminescence and magnetotransport measurements. The analyzed samples were highly doped in order to provide a high bidimensional electron gas density. In fact, Shubnikov-de-Haas data exhibited oscillations that are typical of a bidimensional electron gas system. The main point of this work is the discussion about the experimental observation of indirect transitions in the photoluminescence spectra. Such transitions involve electronic states in the AIGaAs barrier well, created by the planar doping, and the ground heavy hole state in the InGaAs quantum well. This observation is supported by the self-consistent calculation results of Poisson and Schfodinger coupled equations === Mestrado === Física === Mestre em Física