Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Orientador: Francisco Carlos de Prince === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T04:23:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CarvalhoJunior_Wilsonde_M.pdf: 1624647 bytes, checksum: a0d5064b520ca267e7fc92fe05...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Carvalho Junior, Wilson de
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1984
Subjects:
Fibras óticas
Dispositivos fotoeletronicos
Dispositivos optoeletrônicos
Online Access:CARVALHO JUNIOR, Wilson de. Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores. 1984. 86f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277826>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277826

Internet

CARVALHO JUNIOR, Wilson de. Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores. 1984. 86f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277826>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277826

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