Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores
Orientador: Francisco Carlos de Prince === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T04:23:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CarvalhoJunior_Wilsonde_M.pdf: 1624647 bytes, checksum: a0d5064b520ca267e7fc92fe05...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
[s.n.]
1984
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| Subjects: | |
| Online Access: | CARVALHO JUNIOR, Wilson de. Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores. 1984. 86f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277826>. Acesso em: 17 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277826 |