Defeitos localizados em semicondutores

• Main Author: Martins, George Balster
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1987
• Subjects: Semicondutores; Circuitos eletrônicos
• Online Access: MARTINS, George Balster. Defeitos localizados em semicondutores. 1987. 191f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277829>. Acesso em: 14 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277829

Orientador: Gaston Eduardo Barberis === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T21:29:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_GeorgeBalster_M.pdf: 6248936 bytes, checksum: 4917759211ee9715dce7740a05ea6b7b (MD5) Previous issue date: 1987 === Resumo: Calculamos a posição no gap para estados associados com vacâncias ideais em C, Si, Ge, Inp, AlAs e ZnSe. Fizemos cálculos parciais, de estados no gap, para metais de transição (grupo do ferro) intersticiais em Silício. As estruturas de banda foram calculadas pelo método 'tight binding¿ semi-empírico (que é extensamente discutido). Alem dos semicondutores citados acima (com exceção do GaAs, Inp, e ZnSe) apresentamos gráficos de estrutura de banda para Sn, SiC, Gap, AlP e AlSb. Além da apresentação física detalhada do problema de defeitos localizados, procuramos encontra-lo também sob uma perspectiva histórica, ressaltando os problemas teóricos e experimentais a ele associados. Acreditamos firmemente que a proposta (por nós colocada) de continuação dos cálculos com metais de transição fornecerá bons resultados, representando uma maneira simples e econômica de interpretação de experiências em andamento no grupo === Abstract: We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding method and for point defects we used the Green¿s function method. Besides the above cited semiconductors (with the exception of GaAs, Inp and ZnSe) we present band structure graphics for Sn, SiC, GaP, AlP and AlSb. Beyond the detailed physical presentation of the localized states problem we tried to put it into historical backgrounds, emphasizing the theoretical and experimental aspects of it. We firmly believe that our proposal for the continuation of the transition metals calculations will furnish good results, representing a simple end economical way to interpret the experiments of our grou === Mestrado === Física === Mestre em Física