Estudo do controle do crescimento de nanoestruturas semicondutoras do tipo CdTe e CdTeS em matrizes vítreas borosilicatos

• Main Author: Solano Reynoso, Victor Ciro
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1996
• Subjects: Semicondutores; Materiais óticos; Ótica não-linear
• Online Access: SOLANO REYNOSO, Victor Ciro. Estudo do controle do crescimento de nanoestruturas semicondutoras do tipo CdTe e CdTeS em matrizes vítreas borosilicatos. 1996. 127f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278264>. Acesso em: 22 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278264

Orientador: Luiz Carlos Barbosa === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-22T05:41:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SolanoReynoso_VictorCiro_D.pdf: 843594 bytes, checksum: 8925ce7c9fed00613f3ea04af6579dd0 (MD5) Previous issue date: 1996 === Resumo: Apresentamos nesta dissertação o estudo do controle do crescimento de nanoestruturas semicondutoras do tipo CdTe e CdTxS1-x em matriz vítrea borosilicato. Para este fim foram realizados estudos relacionados com a fabricação, caracterização e métodos de produção de nanoestruturas destes tipos, livres de defeitos e com dispersão de tamanho extremamente estreitas. Fez-se uso de técnicas de espalhamento de raio-x de baixo ângulo com luz sincroton, espectroscopia de absorção linear, fotoluminescência e métodos térmicos como análise térmica diferencial e a dilatometria. Estudamos o efeito de tratamentos térmicos simples e duplos e verificamos os efeitos que os mesmos provocavam tanto na eliminação de defeitos superficiais das nanoestruturas como no estreitamento da dispersão de tamanho das mesmas. Os resultados obtidos foram extremamente promissores, pois conseguimos produzir em vidros borosilicatos, nanoestruturas livres de defeitos como "traps" profundos e o mais importante, dispersão de tamanho da ordem de 6 %, o que conforme pesquisa bibliográfica no assunto, demonstrou ser uma das melhores entre diversas encontradas no assunto. Com isto espera-se que as propriedades ópticas não lineares sejam consideravelmente melhoradas, com este tratamento térmico, sendo de grande valia quando se projetar um dispositivo óptico não linear, baseado em quantum dots de semicondutores CdTe e CdTexS1-x === Abstract: In this thesis we study the growth kinectics of semiconductor nanoestructures in borosilicate glass matrix. We study the fabrication methods which allow us to obtain very low size dispersion and deep trap defects free nanostructures. We use small angle x-rays scattering (SAXS) techniques with synchrotron light to study the samples growth in situ, absorption and photoluminescence spectroscopy and thermal techniques such as dilatometry and Differential Thermal Analysis to characterized the samples and fabrication processes. We observed that a double annealing fabrication technique produces samples with a much narrower size dispersion and avoid the creation of deep trap defects. We have been able to produce samples with less than 6% size dispersion and deep trap defects free in borosilicat glass, which is, to our knowledge, one of the best samples of its class in the world. We expect that the nonlinear optical properties to be largely enhanced with this double treatment method making the CdTe quantum dots more attractive from the devices point of view === Doutorado === Física === Doutor em Ciências