Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP
Orientador: Marcio D'Olne Campos === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T04:22:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ceolin_MauricioFrancisco_M.pdf: 1355321 bytes, checksum: a6e535cd68e72d08fbc7890e63...
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ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2782682019-01-21T20:18:26Z Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP Ceolin, Mauricio Francisco, 1954- UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Campos, Marcio D'Olne, 1943- Semicondutores Cristais Orientador: Marcio D'Olne Campos Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Made available in DSpace on 2018-07-17T04:22:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ceolin_MauricioFrancisco_M.pdf: 1355321 bytes, checksum: a6e535cd68e72d08fbc7890e63f62c74 (MD5) Previous issue date: 1983 Resumo: Este trabalho visa, basicamente, calcular a partir de resultados experimentais duas grandezas importantes para o conhecimento dos mecanismos de transporte de carga na liga quaternária semicondutora InGaAsP. : a) a densidade de impurezas ionizáveis b) o potencial de espalhamento por desordem da rede. Costumeiramente, a obtenção de tais resultados, necessita de dados experimentais mais completos {coletados em temperaturas próximas à do hélio liquido) e de uma complexa análise computacional. Aqui, por motivos vários, mas principalmente pela decisão de acompanhar passo a passo a evolução dos experimentos e dos cálculos, visando uma maior familiaridade com o problema, assumimos um maior dispêndio de tempo na procura de resoluções alternativas e aceitamos a possibilidade de obter resultados um pouco menos precisos. Isso, no entanto, nos parece não ter ocorrido. Os capítulos I e II fazem um levantamento do problema estudado, descrevem o material utilizado e esboçam o arcabouço da teoria de transporte de carga. No capitulo III descreveremos a teoria dos três processos de espalhamento que nos serão úteis. Tanto neste capitulo, como nos anteriores, as deduções são francamente voltadas para o que será necessário na fase de analise (parte final deste trabalho). As partes suprimidas, o foram, porque consideradas desnecessárias à compreensão do texto. Estas podem ser encontradas facilmente na literatura citada. O capitulo IV descreve equipamento experimental, analisa as suas possibilidades e prevê os resultados que poderiam ser encontradas. A descrição e a análise dos resultados e feita no capitulo V. Ao final, relatamos as conclusões que decorrem imediatamente dos resultados apresentados, e resumimos os possíveis caminhos abertos durante o trabalho e que não foram percorridos com a necessária atenção nem analisados profundamente. Estes ficam como sugestão para possíveis continuações Abstract: Not informed. Mestrado Física Mestre em Física 1983 2018-07-17T04:22:22Z 2018-07-17T04:22:22Z 1983-07-24T00:00:00Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis CEOLIN, Mauricio Francisco. Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP. 1983. 64f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278268>. Acesso em: 17 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278268 por info:eu-repo/semantics/openAccess 64f. : il. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin Programa de Pós-Graduação em Física reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP |
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Previous issue date: 1983 === Resumo: Este trabalho visa, basicamente, calcular a partir de resultados experimentais duas grandezas importantes para o conhecimento dos mecanismos de transporte de carga na liga quaternária semicondutora InGaAsP. :
a) a densidade de impurezas ionizáveis
b) o potencial de espalhamento por desordem da rede.
Costumeiramente, a obtenção de tais resultados, necessita de dados experimentais mais completos {coletados em temperaturas próximas à do hélio liquido) e de uma complexa análise computacional. Aqui, por motivos vários, mas principalmente pela decisão de acompanhar passo a passo a evolução dos experimentos e dos cálculos, visando uma maior familiaridade com o problema, assumimos um maior dispêndio de tempo na procura de resoluções alternativas e aceitamos a possibilidade de obter resultados um pouco menos precisos. Isso, no entanto, nos parece não ter ocorrido.
Os capítulos I e II fazem um levantamento do problema estudado, descrevem o material utilizado e esboçam o arcabouço da teoria de transporte de carga.
No capitulo III descreveremos a teoria dos três processos de espalhamento que nos serão úteis. Tanto neste capitulo, como nos anteriores, as deduções são francamente voltadas para o que será necessário na fase de analise (parte final deste trabalho). As partes suprimidas, o foram, porque consideradas desnecessárias à compreensão do texto. Estas podem ser encontradas facilmente na literatura citada.
O capitulo IV descreve equipamento experimental, analisa as suas possibilidades e prevê os resultados que poderiam ser encontradas.
A descrição e a análise dos resultados e feita no capitulo V.
Ao final, relatamos as conclusões que decorrem imediatamente dos resultados apresentados, e resumimos os possíveis caminhos abertos durante o trabalho e que não foram percorridos com a necessária atenção nem analisados profundamente. Estes ficam como sugestão para possíveis continuações === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física |
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