Estudo de "Clusters" de GaAs pelo método de espalhamento múltiplo (SCF-Sw-Xa)
Orientador: Nelson de Jesus Parada === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T07:41:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Castilho_CaioMarioCastrode_M.pdf: 1670944 bytes, checksum: 35084297eed51d724e9bdda86de...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
[s.n.]
1976
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| Subjects: | |
| Online Access: | CASTILHO, Caio Mario Castro de. Estudo de "Clusters" de GaAs pelo método de espalhamento múltiplo (SCF-Sw-Xa). 1976. 70 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278312>. Acesso em: 14 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278312 |
| Summary: | Orientador: Nelson de Jesus Parada === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T07:41:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Castilho_CaioMarioCastrode_M.pdf: 1670944 bytes, checksum: 35084297eed51d724e9bdda86de32efa (MD5)
Previous issue date: 1976 === Resumo: No presente trabalho estudamos diversos "clusters" de GaAs com os átomos-constituintes dispostos segundo a configuração do cristal, utilizando o método de espalhamento múltiplo auto-consistente com parâmetro a para o termo de troca variável (SCF - SW - Xa).
Os diversos "clusters" diferenciam-se pelo número de átmos escolhidos, pela natureza do átomo no centro do sistema e pelo potencial em cada uma das regiões. Com as modificações procedidas de um "cluster" para outro, e com a auto-consistência, analisamos a evolução dos níveis de energia obtidos bem como a carga em cada uma das regiões do sistema.
Considerando a natureza covalente das ligações neste semicondutor e devido ao fato de se tomar como vazio o exterior da esfera que circunscreve o "cluster", é proposto um novo critério para a localização do "gap", distinto de considerar a transição entre o último nível "cheio" e o primeiro nível "vazio". Dentro desta ótica obtem-se um valor para o "gap" da mesma ordem de grandeza do valor experimental, cujo valor evolui no sentido aproximar-se deste, quando são efetuadas as modificações com o intuito de reproduzir melhor as condições do cristal real === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física |
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