Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico
Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-08-03T21:53:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bettini_Jefferson_D.pdf: 10684984 bytes, checksum: acc6d05aa92c2c01b4b2db3b8e69f1...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
[s.n.]
2003
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| Subjects: | |
| Online Access: | BETTINI, Jefferson. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico. 2003. 139p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278399>. Acesso em: 3 ago. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399 |
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BETTINI, Jefferson. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico. 2003. 139p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278399>. Acesso em: 3 ago. 2018.http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399