Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutores

• Main Author: Guimarães, Paulo Sergio
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1976
• Subjects: Semicondutores - Distribuição de impurezas
• Online Access: GUIMARÃES, Paulo Sergio. Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutores. 1976. 51 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278574>. Acesso em: 11 set. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278574

Orientadores: Nelson de Jesus Parada, Luiz Guimarães Ferreira === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-09-11T20:47:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guimaraes_PauloSergio_M.pdf: 1070343 bytes, checksum: f462fafec9646955c97aca1a7890bb36 (MD5) Previous issue date: 1976 === Resumo: É feita unta revisão da teoria da emissão radiativa devida a pares doador-aceitador em semicondutores, juntamente com uma análise dos diversos parâmetros que entram no cálculo da variação da intensidade da emissão com a distancia do par. É proposto um modelo para o cálculo de níveis de impureza, além de serem obtidas aproximações mais realistas para a seção de choque de captura e para a probabilidade de transição radiativa do par === Abstract: A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cross-section and for the radiative transition probability have been used. === Mestrado === Física === Mestre em Física