Medidas eletricas em dispositivos semi-condutores

• Main Author: Kretly, Luiz Carlos, 1950-
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1978
• Subjects: Semicondutores; Medidas elétricas; Engenharia elétrica
• Online Access: KRETLY, Luiz Carlos. Medidas eletricas em dispositivos semi-condutores. 1978. 1v. (varias paginações). Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, [SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/322514>. Acesso em: 16 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/322514

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas === Made available in DSpace on 2018-07-16T04:28:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kretly_LuizCarlos_M.pdf: 8042297 bytes, checksum: 6afdd9cabec20c150d562a3931998a3f (MD5) Previous issue date: 1978 === Resumo: Para se avaliar o comportamento de dispositivos semicondutores, bem como controlar os parâmetros dos processos de fabricação, é necessário identificar os processos e mecanismos de transporte eletrônico que ocorrem no mesmo. Essa identificação e feita através da medida de grandezas elétricas convenientes. Essas medidas são estabelecidas em função de modelos matemáticos propostos para o comportamento do dispositivo. 0 presente trabalho objetiva o estabelecimento de um parâmetro conjunto de técnicas de medições elétricas que permitam caracterizar dispositivos eletrônicos semicondutores, com a finalidade de estabelecer os processos padrões de medição das características dos componentes fabricados no LED. A primeira parte deste consta de uma resenha de métodos de medida de resistividade de semicondutores, bem como dos modelos e fatores de correção para diversas geomeias e condições das amostras; o método das pontas e o método de vander Pauw são extensivamente analisados. Quatro No capítulo 2 se apresenta uma resenha dos modelos, para os principais processos elétricos dos dispositivos semicondutores e se discutem métodos de .medidas que permitem caracterizá-los. Para essas caracterizações são discutidas principalmente medidas do comportamento das variáveis terminais do dispositivo tendo como parâmetros a temperatura e/ou a radiação luminosa. Uma grande quantidade de 1nformções a respeito do dispositivo é a obtida através de um conjunto de medidas convenientes, compostos pelas seguintes características: IxV, log(I)xV, aI/av x v, 10g(aI/aV)xV, CxV, ml/C xV, como . função da temperatura e/ou radiação luminosa' incidente Estão descritos neste trabalho (capítulo 2) os modelos matemáticos ma1S significativos dos diapositivos eletrônicos, com o objetivo de exemplificar algumas das diversas técnicas e circuitos de instrumentação desenvolvidos para obter as medidas acima. o capítulo 3 descreve os circuitos desenvolvidos para se obter as principais medidas elétricas e apresenta os resultados experimentais obtidos com tal instrumental. A conveniência o~ não da utilização de algumas técnicas é, também, discutida, bem como sugestões para o futuro aperfeiçoamento daquelas que se apresentaram mais promissoras. o apêndice contém dados referentes ao capítulo 1 e informações sobre equipamentos cuja importância no desenvolvimento do trabalho exige uma referência direta === Abstract: Not informed. === Mestrado === Mestre em Engenharia Elétrica