Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual/

• Main Author: Assalti, R.
• Other Authors: Souza, Michelly de.
• Published: 2015
• Subjects: Transistores de potência; Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
• Online Access: http://sofia.fei.edu.br:8080/pergamumweb/vinculos/000038/0000387f.pdf

Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015