Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute

• Main Author: Romina Paula de Castro Costa
• Other Authors: César Boschetti
• Language: Portuguese
• Published: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais 2007
• Online Access: http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m17@80/2007/03.23.19.00

Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se possam obter de forma sistemática e reprodutível camadas de CaF2 e BaF2 sobre Si(111) adequadas ao posterior crescimento de compostos IV-VI para a fabricação monolítica de detectores de radiação infravermelha integrados ao Si. A Caracterização pós-crescimento das camadas de CaF2 e BaF2 envolve medidas estruturais de raio-X de alta resolução, nas configurações de Bragg Brentano, Rocking Curve e Reflexão de raios-X em incidência rasante, bem como medidas com o microscópio eletrônico de varredura. As medidas permitem a obtenção de informação sobre a qualidade cristalina das camadas, o relaxamento das tensões mecânicas originadas devido à discrepância de parâmetros de rede entre as várias camadas, espessura e rugosidade do filme crescido. === This work investigates in details the growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on Si(111) substrates by using Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique and in situ Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) analisys. The main goal is to obtain a minimum set of conditions capable to make the growth of PbTe and PbSnTe compounds on buffered Si(111) substrates a reliable and reproducible procedure. The characterization after growth of the epitaxial CaF2 and BaF2 layers involves high resolution x-rays diffraction measurements using Bragg Brentano method, rocking curves and grazing incidence x-ray reflectivity, as well as scanning electron microscopy. These measurements inform about crystal quality of the layers and strain releaf between buffer and substrate due to lattice parameters differences.