A study of the microstructure and electrical properties of sintered TiO2 bodies

• Main Authors: CHEN, SHOU-KANG, 陳壽康
• Other Authors: LIAO, XUE-CHENG
• Format: Others
• Language: zh-TW
• Published: 1986
• Online Access: http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/03292366693613917811

碩士 === 國立成功大學 === 礦冶及材料科學研究所 === 74 === TiO燒結體適量添加０．１－１．５mol ％Nb2O5 和／０．１－１．０mol ％BaO 在１２５０－４００℃空氣中，１，２和４小時燒製而成。電子顯微照片顯示燒結體 晶粒大小變化，４－３０℃，與晶粒成長和燒成溫度，時間和Nb2O5 添加量有關，小 於０．４mol ％Nb2O5 添加量有抑制晶粒成長之現象。在晶粒界有一厚度０．３－１ ．０含多量鋇元素之偏析相存在，呈羯狀型態，不相連接，其鋇元素量無法確定。且 大都位於晶粒接合處。 TiO燒結體之導電率，ο和電容值，C ，隨溫度和電壓變化之情形被量測。電阻率 ，ρ，由１０Ω－ 被降至１０－１０Ω－ ，隨Nb2O5 添加量，燒成溫 度和時間而定。logο和１／T 關係呈直線可算得平均活化能０．１７２eV。在TiO 燒結體中，有一部份呈現半導體性質可當作變咀器。Ba，Nb添加之TiO燒結體α值 隨添加物之量而變，最高值３左右。 根據Mukae et al.所導出之Schottky二極體背向連接模式，（１／C－１／２C0） 和 V 之曲線，而得Nd和 值分別為１０－１０cm和０．８８－１．７３V 視BaO添加量而定。 由顯微結構和電子性質之關係來看，這晶界偏析相所扮演之角色，需更進一步的研究 、瞭解。然而，這晶界相之存在和Mukae et al.和Fujimoto et al. ，分別在ZnO 和 SrTiO 材料中發現的相一致，這偏析相有增加晶粒表面缺陷，在晶粒形成Schottky障 壁，使得燮阻器性質更顯著。