Effect of annealing conditions on boron ion-implanted HgCdTe
碩士 === 國立清華大學 === 電機工程研究所 === 74 === X為0.31和0.34的P型Hg1-x Cdx Te/CdTe 磊晶層，經用能量為100Kev，流量為1.45× 1015 cm-2 電流為2μA cm-2 的硼離子佈植後，再在 240℃— 550℃溫度範圍內，分 別於汞和碲化汞環境下，作30分鐘退火，並用富氏紅外光譜，雜訊頻譜，電流一電壓 特性，和77℃霍爾效應方法測量，從實驗結果得知，於低溫退火後的 n型導電性是因...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1986
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/81762926849501230973 |
| Summary: | 碩士 === 國立清華大學 === 電機工程研究所 === 74 === X為0.31和0.34的P型Hg1-x Cdx Te/CdTe 磊晶層，經用能量為100Kev，流量為1.45×
1015 cm-2 電流為2μA cm-2 的硼離子佈植後，再在 240℃— 550℃溫度範圍內，分
別於汞和碲化汞環境下，作30分鐘退火，並用富氏紅外光譜，雜訊頻譜，電流一電壓
特性，和77℃霍爾效應方法測量，從實驗結果得知，於低溫退火後的 n型導電性是因
佈植時所做成破壞引起，而於高溫退火後得 n型導電性則是經由植入的硼離子活化所
至，故可得結論，在一合理溫度範圍內退火，可消除植入時所做成破壞和使植入的硼
離子活化，並同時可得到良好品質的碲化汞鎘，基於以上因素，使得在選擇碲化汞鎘
的佈植源時，硼離子顯得非常吸引。
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