單晶繞射在分子結構上的應用

• Main Authors: GUO, LI-WEN, 郭麗雯
• Other Authors: REN, YU
• Format: Others
• Language: zh-TW
• Online Access: http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/56204413915947032839

碩士 === 國立臺灣大學 === 化學研究所 === 74 === X －光在單晶中產生的繞射現象，乃因電子而產生，因此我們就單晶中電子分佈，可 做（一）結構上的分析，（二）鍵電子密度研究，本論文即分成（一）ReCl（CO）3 〔P （OPh ）3 〕2 及HxRe3 （CO）14的結構分析及（二）（CH2SO2）2 鍵電子密度 分析二部份。 ReCl（CO）3 〔P （OPh ）3 〕2 化合物屬單斜晶系，空間對稱群為P21/C ，晶體常 數為a ＝9.3046⑻，b ＝19.534⑸，c ＝10.203⑹?，β＝96.5°⑵，z ＝2 ，單元 體體積1842.52A3 ，密度為1.67g/cm3，用MoKα，X －光源，以Patterson 方法解得 此化合物構造，Re原子位於六配位形成的八面體的中心位置，Re-P2.370 ⑶?，兩種 形式的C ＝0 ，Re-C分別為1.79⑵及1.966 ⑼A ，Re-Cl2.485⑸A4，HxRe3 （CO）14 化合物屬正方晶系，空間對稱群Pnma，晶體常數a ＝9.812 ⑴，b ＝12.582⑶，c ＝ 17.010⑶，z ＝4 ，單元體體積2100?，密度3.01g/cm3 ，亦用MoKα ，X －光源， 同樣以Patterson 方法解得構造，3 個Re原子組成一對稱面，Re1-Re2-Re3 107 °， Re1-Re2 ，Re2-Re3 分別為3.34，3.10?，3 個Re原子所接C ＝0 ，互為交錯排列。 低溫的（CH2SO2）2 繞射實驗，使用本實驗室所做室溫的數據為原始模型，精算結果 R ＝0.030 ，Rw＝0.027 ，高角度的精算取so/3＞0.85，結果R ＝0.027 ，Rw＝0.04 6 ，由繞射係數圖看出硫原子在高角度的鍵電子分佈頗大，由C －S －C －S 平面X └─────┘ －X 的deformation map ，也可看出C －S 鍵電子隨著Smax的增加漸自S 原子移動， 且map 顯示此平面的環張力不大，S …S 之間沒有交互作用，S －O 的peak Reight 位於中間位置，但O 原子的未鍵結電子不太明顯，由C －S ，S －O 的剖面圖顯示， C －S 為單鍵，S －O 為雙鍵。由這些結果顯示，可以很完滿的解釋一些化學、物理 現象，若能與理論計算配合，更增加對此分子研究的完美性。