薄層分析專用之三氧化二鋁的研究
碩士 === 中正理工學院 === 應用化學研究所 === 76 === AlO 應用在TLC 上相當廣泛,而AlO 為多晶型(Polymorphous)的化合物, 所以常因合成(燒)溫度不同,及時間長短不一而有不同的晶體結構的AlO 必 然具有不同的物理特性,尤其是氧化鋁表面上具有高度的極性,不同的晶體結構非列 ,影響材料本身的吸附性甚大。本論文的目的在尋找一個合成TLC 專用AlO 的最 適當條...
Main Authors: | CHEN, SHI-ZE, 陳史澤 |
---|---|
Other Authors: | HONG, YAO-XUN |
Format: | Others |
Language: | zh-TW |
Published: |
1988
|
Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/52150076098967802821 |
Similar Items
-
超大型積體電路薄氧化層的研究
by: Wang, Chi-Xian, et al. -
CORUNDUM, 三氧化二鋁電子密度的分佈
by: HONG, LI-HUAN, et al.
Published: (1989) -
快速熱成長薄氧化層特性研究
by: LIN, GUAN-ZHI, et al.
Published: (1992) -
薄氧化層的熱氮化于超大型積體電路中加強區域性氧化和薄閘層之應用
by: YU, ZHI-LIN, et al. -
可調頻滲鈦三氧化二鋁雷射螢光半衰期之研究
by: PAN, MING-WEI, et al.
Published: (1989)