摻雜稀土元素鐠之III-V族化合物半導體液相磊晶生長研究

• Main Authors: LAI, MU-REN, 賴穆人
• Other Authors: ZHANG, LIAN-BI
• Format: Others
• Language: zh-TW
• Published: 1992
• Online Access: http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/58574743063220914548

碩士 === 中正理工學院 === 電子工程研究所 === 80 === 1.緒論 2.實驗步驟及磊晶生長程序 2.1 實驗設備 2.2 磊晶生長實驗程序 （a）摻雜鐠之In.5Ga.5P磊晶生長 （b）摻雜鐠之A1.26Ga.74As磊晶生長 （c）摻雜鐠之GaAs磊晶生長 3.磷化銦鎵摻雜鐠元素之研究 3.1 表面狀況和結晶性 3.2 霍爾測量 3.3 光激螢光測量 4.砷化鋁鎵摻雜鐠元素之研究 4.1 表面狀況和結晶性 4.2 霍爾測量 4.3 光激螢光測量 5.砷化鎵摻雜鐠元素之研究 5.1 表面狀況和結晶性 5.2 霍爾測量 5.3 光激螢光測量 6.結論 參考文獻 自傳 ~9204520 ~9204520