氣相磊晶法成長GaN之特性研究
碩士 === 國立中央大學 === 光電科學研究所 === 87 ===
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1999
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ndltd-TW-087NCU006140182016-07-11T04:13:53Z http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/45791962717879816604 氣相磊晶法成長GaN之特性研究 潘瑞文 碩士 國立中央大學 光電科學研究所 87 張正陽 1999 學位論文 ; thesis 87 zh-TW |
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