Low-Dimensional Ga-Based Nanostructures：Synthesis, Characterizations and Applications
博士 === 國立清華大學 === 材料科學工程學系 === 96 === 本論文主要研究一維鎵基奈米材料的合成、鑑定與應用，共分為以下幾個主題：(1, 2)純氮化鎵、氧化鎵奈米線之合成技術，(3, 4) 一維豆莢狀金-氧化鎵 (Au-Peapodded Gallium Oxide Nanowires)與核殼狀金-氧化鎵 (Core-Shell Au-Gallium Oxide Nanowires) 複合奈米線之合成技術與奈米元件製作，(5)金-氧化鎵複合奈米線之臨場熱退火觀測研究。 藉由金屬鎵、金及二氧化矽於800 °C下反應，便可生成具有雙晶結構之一維豆夾狀及核殼狀金-氧化鎵複合奈...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2008
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/39991331340912967757 |
| Summary: | 博士 === 國立清華大學 === 材料科學工程學系 === 96 === 本論文主要研究一維鎵基奈米材料的合成、鑑定與應用，共分為以下幾個主題：(1, 2)純氮化鎵、氧化鎵奈米線之合成技術，(3, 4) 一維豆莢狀金-氧化鎵 (Au-Peapodded Gallium Oxide Nanowires)與核殼狀金-氧化鎵 (Core-Shell Au-Gallium Oxide Nanowires) 複合奈米線之合成技術與奈米元件製作，(5)金-氧化鎵複合奈米線之臨場熱退火觀測研究。
藉由金屬鎵、金及二氧化矽於800 °C下反應，便可生成具有雙晶結構之一維豆夾狀及核殼狀金-氧化鎵複合奈米線。此兩種單晶結構之複合奈米線材料，因其具有局部表面電漿共振效應(Localized Surface Plasma Resonance, SPR)，而具有對532及632奈米波長之可見光的高感光度吸收效應。
另外，藉由單根及多根一維核殼狀金-氧化鎵奈米線之場發射量測，發現其具有相當低的啟動電場強度(Turn on Field = 0.12-0.24 V/μm)，因此很有潛力用來製作電子發射源。另一方面藉由臨場穿透式電子顯微鏡的協助，可將一維核殼狀金-氧化鎵奈米線，經由簡單地熱退火實驗，而製成許多各式各樣的一維豆莢狀金-氧化鎵奈米線，進而製作出對不同的可見光感測奈米元件。
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