Estudo estrutural, morfológico, elétrico e óptico de cristais de a-Ag2WO4 dopados com Mo6+ via co-precipitação assistida por PVP /

Orientador: Elson Longo da Silva === Banca: Maria Aparecida Zaghete Bertochi === Banca: Valmor Roberto Mastelaro === Resumo: No presente trabalho, foram sintetizados microcristais de α-Ag2WO4 dopados com Mo6+ nas concentrações de 0, 0,1, 0,2, 0,4 e 0,8% através do método de co-precipitação a 100 ºC...

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Bibliographic Details
Main Author: Silva, André Lima e.
Other Authors: Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Instituto de Química.
Format: Others
Language:Portuguese
Portuguese
Published: Araraquara, 2015
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/11449/136093
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spelling ndltd-UNESP-oai-www.athena.biblioteca.unesp.br-UEP01-0008545142018-06-01T05:13:23ZtextporporTL/UNESPSilva, André Lima e.Estudo estrutural, morfológico, elétrico e óptico de cristais de a-Ag2WO4 dopados com Mo6+ via co-precipitação assistida por PVP /Araraquara,201587 f. :Orientador: Elson Longo da SilvaBanca: Maria Aparecida Zaghete BertochiBanca: Valmor Roberto MastelaroResumo: No presente trabalho, foram sintetizados microcristais de α-Ag2WO4 dopados com Mo6+ nas concentrações de 0, 0,1, 0,2, 0,4 e 0,8% através do método de co-precipitação a 100 ºC na presença de PVP. Obteve-se materiais policristalinos de cor amarela-clara que foram caracterizados por DRX, espectroscopia MicroRaman, microscopia eletrônica de varredura (MEV), espectroscopia de fotoluminescência e UV/Vis por refletância difusa. O refinamento Rietveld, usando os dados da ficha ICSD Nº 4165, foi empregado para o cálculo dos parâmetros rede e posições atômicas. Indexou-se os DRX das amostras como α e γ-Ag2WO4 pelas fichas cristalográficas JCPDS 34-0061 e JCPDS 33-1197, respectivamente. Os resultados revelaram estruturas com alto grau de desordem que aumenta com o aumento de concentração do Mo6+, redução progressiva do volume de cela unitária e formação da fase cúbica com maiores concentrações do dopante. Exceto para a amostra com 0,1% de dopante, obteve-se cristais com morfologia hexagonal, tamanho em torno de 1 μm, apresentando defeitos morfológicos como fraturas, superfícies irregulares e cristais polifacetados. Notou-se rápido crescimento de nanopartículas de prata na superfície do material durante exposição ao feixe de elétrons acelerados sob 10 keV no microscópio eletrônico de varredura. As amostras apresentaram ainda comportamento ôhmico com resistência da ordem de 1010 Ω・m, com cristais de α-Ag2WO4 puro exibindo forte fotoluminescência na região do vermelho que é reduzida com a dopagem e sem apresentar considerável variação no band gap em função da concentração de Mo6+.Abstract: In this study were synthesized Mo6+ doped α-Ag2WO4 microcrystals at concentrations of 0, 0,1, 0,2 0,4 e 0,8% by co-precipitation at 100 ºC in presence of polyvinylpyrrolidone surfactant. Were obtained pale-yellow polycrystalline powders that were characterized by x ray diffraction, MicroRaman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), photoluminescence spectroscopy and UV/Vis diffuse reflectance. They was indexed as alfa and γ-Ag2WO4 by the crystallographic standards JCPDS 34-0061 and 33-1197, respectively. The Rietveld refinament using ICSD No. 4165 was performed to calculation of lattice parameters and atomic positions. The results revealed a high degree of disorder in short, medium and long range which increases with doping such as a progressive reduction of unit cell volume and cubic phase formation is inducted. Except to 0,1% Mo6+, SEM images showed hexagonal crystals, size about 1 μm, presenting morphological defects such as fractures, irregular surfaces and polyfaced crystals. Further was noted a rapid growth of silver nanoparticles on the surface of these materials during exposure to 10 keV electron beam accelerated in SEM. The samples also showed ohmic behavior with 1.074x1010 Ω·m order resistence, α-Ag2WO4 pure crystals exhibited strong photoluminescence in the red region of eletromagnetic spectra which is reduced by doping, with no significant changing on FT profiles by Mo6+ increasing concentration being noted. The lowest band-gap (3.05 eV) was obtained with 0,8% doped sample.Sistema requerido: Adobe Acrobat ReaderSemicondutores dopados.Cristais - Defeitos.Microestrutura.Fotoluminescencia.Photoluminescence.MestreUniversidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Instituto de Química.http://hdl.handle.net/11449/136093
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Cristais - Defeitos.
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Silva, André Lima e.
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