Study on Resistive Switching Phenomenon in Metal Oxides for Nonvolatile Memory

京都大学 === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第18285号 === 工博第3877号 === 新制||工||1595(附属図書館) === 31143 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 掛谷 一弘 === 学位規則第4条第1項該当 === Doctor of Philosophy (Engineering) === Kyoto University === DFAM...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Iwata, Tatsuya
Other Authors: 木本, 恒暢
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: 京都大学 (Kyoto University) 2014
Subjects:
500
Online Access:http://hdl.handle.net/2433/188598
id ndltd-kyoto-u.ac.jp-oai-repository.kulib.kyoto-u.ac.jp-2433-188598
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spelling ndltd-kyoto-u.ac.jp-oai-repository.kulib.kyoto-u.ac.jp-2433-1885982021-09-06T05:10:38Z Study on Resistive Switching Phenomenon in Metal Oxides for Nonvolatile Memory 不揮発性メモリに向けた金属酸化物における抵抗スイッチング現象に関する研究 Iwata, Tatsuya 木本, 恒暢 藤田, 静雄 掛谷, 一弘 岩田, 達哉 イワタ, タツヤ Resistive RAM Resistive switching phenomenon Nickel oxide Conductive filaments Oxygen vacancy 500 京都大学 0048 新制・課程博士 博士(工学) 甲第18285号 工博第3877号 新制||工||1595(附属図書館) 31143 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 掛谷 一弘 学位規則第4条第1項該当 Doctor of Philosophy (Engineering) Kyoto University DFAM 2014-06-26T05:42:02Z 2014-06-26T05:42:02Z 2014-03-24 2014-03-24 doctoral thesis Thesis or Dissertation http://hdl.handle.net/2433/188598 14301甲第18285号 10.14989/doctor.k18285 14301 eng application/pdf 京都大学 (Kyoto University) 京都大学
collection NDLTD
language English
format Doctoral Thesis
sources NDLTD
topic Resistive RAM
Resistive switching phenomenon
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Conductive filaments
Oxygen vacancy
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Resistive switching phenomenon
Nickel oxide
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Iwata, Tatsuya
Study on Resistive Switching Phenomenon in Metal Oxides for Nonvolatile Memory
description 京都大学 === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第18285号 === 工博第3877号 === 新制||工||1595(附属図書館) === 31143 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 掛谷 一弘 === 学位規則第4条第1項該当 === Doctor of Philosophy (Engineering) === Kyoto University === DFAM
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Iwata, Tatsuya
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