Monte-Carlo simulation and contribution to understanding of Single-Event-Upset (SEU) mechanisms in CMOS technologies down to 20nm technological node

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L’augmentation de la densité et la réduction de la tension d’alimentation des circuits intégrés rend la contribution des effets singuliers induits par les radiations majoritaire dans la diminution de la fiabilité des composants électroniques aussi bien dans l’environnement radiatif spatial que terre...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Uznanski, Slawosz
Other Authors: Aix-Marseille 1
Language:fr
Published: 2011
Subjects:
Evénements Singulier
Aléa logiques
Rhbd
Cmos
Sram
Flip-Flop
SEE
SER
SEU
RHBD
Monte-Carlo
CMOS technology
SRAM
Online Access:http://www.theses.fr/2011AIX10222/document

Internet

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