Sélection d'un précurseur pour l'élaboration de couches atomiques de cuivre : application à l'intégration 3D
Avec l’augmentation de la densité de fonctionnalités dans les différents circuits intégrés nous entourant, l’intégration 3D (empilement des puces) devient incontournable. L’un des point-clés d’une telle intégration est la métallisation des vias traversant (TSV, Through Silicon Via) reliant deux puce...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENI097/document |