Implementation of high voltage Silicon Carbide rectifiers and switches
Nous présentons dans ce document, notre étude de la conception et la réalisation de VMOS et de diodes Schottky et JBS en carbure de silicium. Ce travail nous a permis d'optimiser et de fabriquer des diodes utilisant une barrière Schottky en Tungsten de différentes tenues en tension entre 1,2kV...
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Language: | en |
Published: |
2012
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Subjects: | |
Online Access: | http://www.theses.fr/2012ISAL0008/document |
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