Conception, fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associée
Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants sili...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012ISAL0084/document |