Consommation statique dans les circuits numériques en CMOS 32nm : analyse et méthodologie pour une estimation statistique au niveau porte
La puissance de fuite est devenue une préoccupation majeure pour les concepteurs de circuits intégrés depuis le nœud technologique 65 nm. En outre, ces fuites sont largement impactées par la variabilité technologique qui augmente nœud après nœud. C'est pourquoi des approches statistiques, qui e...
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Language: | fr |
Published: |
2013
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Online Access: | http://www.theses.fr/2013GRENT034 |