Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Les dispositifs microélectroniques réalisés en technologie silicium possèdent des limitations intrinsèques liées à ce matériau et ses dérivés (Si, SiO2, SiGe…). Une des solutions pour proposer à l’avenir des performances accrues passe par l’introduction de nouveaux matériaux en technologie silicium....

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Cipro, Romain
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:fr
Published: 2016
Subjects:
620
Online Access:http://www.theses.fr/2016GREAT049/document

Similar Items