Characterization and design of high-switching speed capability of GaN power devices in a 3-phase inverter

Characterization and design of high-switching speed capability of GaN power devices in a 3-phase inverter

Le projet industriel français MEGaN vise le développement de module de puissance à base de compostant HEMT en GaN. Une des application industrielle concerne l’aéronautique avec une forte contrainte en isolation galvanique (>100 kV/s) et en température ambiante (200°C). Le travail de thèse a été c...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Perrin, Rémi
Other Authors: Lyon
Language:en
Published: 2017
Subjects:
Electronique de puissance
Composant HEMT (High Electron Mobility Transistor)
Bras d'onduleur 650 V GaN
Fort rendement énergétique
Isolation galvanique
Haute fréquence
Commutation douce
Haute température
Intégration du circuit imprimé
Power Electronics
HEMT (High Electron Mobility Transistor) component
Phase inverter 650 V GaN
High-Frequency
Soft-Switching
Printed circuit board packaging
621.317 072
Online Access:http://www.theses.fr/2017LYSEI001/document

Internet

http://www.theses.fr/2017LYSEI001/document

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