Etude des phénomènes de transport de porteurs et du bruit basse fréquence en fonction de la température dans les transistors FinFET et GAA NWFET sub-10 nm
Les travaux menés pendant cette thèse se concentrent sur l'étude de technologies avancées de MOSFET, plus précisément de FinFET à triple-grille et de nanofils à grille enrobante. Ils ont été fabriqués pour le nœud technologique 10 nm, suivant le même procédé de fabrication à l'exception de...
Main Author: | Boudier, Dimitri |
---|---|
Other Authors: | Normandie |
Language: | fr |
Published: |
2018
|
Subjects: | |
Online Access: | http://www.theses.fr/2018NORMC220/document |
Similar Items
-
BSIM—SPICE Models Enable FinFET and UTB IC Designs
by: Navid Paydavosi, et al.
Published: (2013-01-01) -
Analysis of Threshold Voltage Flexibility in Ultrathin-BOX SOI FinFETs
by: Kazuhiko Endo, et al.
Published: (2014-05-01) -
FinFET standard cell optimization for performance and manufacturability
by: Zhang, Boyang, 1988-
Published: (2012) -
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
by: Alberto Vinicius de Oliveira
Published: (2016) -
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
by: Oliveira, Alberto Vinicius de
Published: (2016)