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    Etude de l'influence de stress électriques et d'irradiations neutroniques sur des HEMTs de la filière GaN
    by Petitdidier, Sébastien
    Published 2017
    “...Les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistors) de la filière GaN sont destinés à des...”
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    Etude de l'influence de stress électriques et d'irradiations neutroniques sur des HEMTs de la filière GaN
    by Petitdidier, Sébastien
    Published 2017
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