BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem bad...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Lublin University of Technology
2018-05-01
|
| Series: | Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ph.pollub.pl/index.php/iapgos/article/view/1017 |