Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs. Simulación y aplicación en transistores de alta movilidad
En este trabajo se analizan las características de la heteroestructura de GaAs/AlGaAs haciendo énfasis en las propiedades de la unión de ambos semiconductores. Cuando se unen dos materiales, con diferentes anchos en las bandas prohibidas, ocurre un confinamiento de portadores que se les puede descri...
| Main Authors: | , |
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| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Universidad Nacional de Colombia
2011-01-01
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| Series: | Ingeniería e Investigación |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://revistas.unal.edu.co/index.php/ingeinv/article/view/20535 |