Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
Dažādu fāzu silīcija karbīda (SiC) monokristāli, kas audzēti uz SiC pamatnēm ar ķīmiskās nogulsnēšanas metodi no gāzveida fāzes, tika pētīti, izmantojot Ramana spektroskopiju, skenējošo elektronu mikroskopiju (SEM) un rentgenstaru difrakciju (XRD). Ar SEM palīdzību tika identificēti kristalogrāfiskā...
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Sciendo
2014-06-01
|
| Series: | Latvian Journal of Physics and Technical Sciences |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://doi.org/10.2478/lpts-2014-0019 |