Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy

Dažādu fāzu silīcija karbīda (SiC) monokristāli, kas audzēti uz SiC pamatnēm ar ķīmiskās nogulsnēšanas metodi no gāzveida fāzes, tika pētīti, izmantojot Ramana spektroskopiju, skenējošo elektronu mikroskopiju (SEM) un rentgenstaru difrakciju (XRD). Ar SEM palīdzību tika identificēti kristalogrāfiskā...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Chikvaidze G., Mironova-Ulmane N., Plaude A., Sergeev O.
Format: Article
Language:English
Published: Sciendo 2014-06-01
Series:Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
Subjects:
Online Access:https://doi.org/10.2478/lpts-2014-0019
id doaj-5508bfdd91bc4494b11fda5dc561a878
record_format Article
spelling doaj-5508bfdd91bc4494b11fda5dc561a8782021-09-06T19:22:26ZengSciendoLatvian Journal of Physics and Technical Sciences0868-82572014-06-01513515710.2478/lpts-2014-0019lpts-2014-0019Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman SpectroscopyChikvaidze G.0Mironova-Ulmane N.1Plaude A.2Sergeev O.3Institute of Solid State Physics, University of Latvia, 8 Ķengaraga Str., LV-1063, Rīga, LATVIAInstitute of Solid State Physics, University of Latvia, 8 Ķengaraga Str., LV-1063, Rīga, LATVIAInstitute of Solid State Physics, University of Latvia, 8 Ķengaraga Str., LV-1063, Rīga, LATVIAV.E.Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Science of the Ukraine, 41 Nauki Ave., 03028, Kyiv, the UKRAINEDažādu fāzu silīcija karbīda (SiC) monokristāli, kas audzēti uz SiC pamatnēm ar ķīmiskās nogulsnēšanas metodi no gāzveida fāzes, tika pētīti, izmantojot Ramana spektroskopiju, skenējošo elektronu mikroskopiju (SEM) un rentgenstaru difrakciju (XRD). Ar SEM palīdzību tika identificēti kristalogrāfiskās struktūras apgabali un ieslēgumi, ir pierādīts, ka tie korelē ar Ramana spektru pīķu pozīcijām, un XRD datiem par kristālisko struktūruhttps://doi.org/10.2478/lpts-2014-0019silicon carbide (sic)polytypesraman spectroscopyx-ray diffraction (xrd)
collection DOAJ
language English
format Article
sources DOAJ
author Chikvaidze G.
Mironova-Ulmane N.
Plaude A.
Sergeev O.
spellingShingle Chikvaidze G.
Mironova-Ulmane N.
Plaude A.
Sergeev O.
Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
silicon carbide (sic)
polytypes
raman spectroscopy
x-ray diffraction (xrd)
author_facet Chikvaidze G.
Mironova-Ulmane N.
Plaude A.
Sergeev O.
author_sort Chikvaidze G.
title Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
title_short Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
title_full Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
title_fullStr Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
title_full_unstemmed Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
title_sort investigation of silicon carbide polytypes by raman spectroscopy
publisher Sciendo
series Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
issn 0868-8257
publishDate 2014-06-01
description Dažādu fāzu silīcija karbīda (SiC) monokristāli, kas audzēti uz SiC pamatnēm ar ķīmiskās nogulsnēšanas metodi no gāzveida fāzes, tika pētīti, izmantojot Ramana spektroskopiju, skenējošo elektronu mikroskopiju (SEM) un rentgenstaru difrakciju (XRD). Ar SEM palīdzību tika identificēti kristalogrāfiskās struktūras apgabali un ieslēgumi, ir pierādīts, ka tie korelē ar Ramana spektru pīķu pozīcijām, un XRD datiem par kristālisko struktūru
topic silicon carbide (sic)
polytypes
raman spectroscopy
x-ray diffraction (xrd)
url https://doi.org/10.2478/lpts-2014-0019
work_keys_str_mv AT chikvaidzeg investigationofsiliconcarbidepolytypesbyramanspectroscopy
AT mironovaulmanen investigationofsiliconcarbidepolytypesbyramanspectroscopy
AT plaudea investigationofsiliconcarbidepolytypesbyramanspectroscopy
AT sergeevo investigationofsiliconcarbidepolytypesbyramanspectroscopy
_version_ 1717772131273539584