OPTIMIZATION AND CHARACTERIZATION OF ELECTRON BEAM RESIST USING ATOMIC FORCE MICROSCOPY

<p>Resis negatif ma-N 2403 dan 495 K PMMA memiliki resolusi yang baik untuk aplikasi litografi berkas elektron (EBL). Ketebalanresist optimal memainkan peran penting dalam paparan berkas elektron. Oleh karena itu, dalam penelitian ini, ketebalan darikedua resist yang dioptimalkan menggunakan s...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: - Sutikno
Format: Article
Language:English
Published: Semarang State University 2012-01-01
Series:Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia
Online Access:https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JPFI/article/view/1007