اثر دما بر چگالی جریان در ترانزیستور اثر مدانی نانونوار گرافینیی
گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطافپذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای ا...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Alzahra University
2013-11-01
|
| Series: | فیزیک کاربردی ایران |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jap.alzahra.ac.ir/article_1201_16697155c41c68c547c8bf83320491ba.pdf |