FARKLI B+ İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET’LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PROGRAMI İLE İNCELENMESİ

Bu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Ayşegül Kahraman, Ercan Yılmaz
Format: Article
Language:English
Published: Bursa Uludag University 2017-08-01
Series:Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering
Subjects:
Online Access:https://dergipark.org.tr/tr/pub/uumfd/issue/30563/335425