УЛУЧШЕНИЕ ОБРАТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ
Данная работа посвящена исследованию причин низкого процента выхода годных диодов и разработке эффективного технологичного метода геттерирования структурных дефектов в кремнии с целью уменьшения плотности дефектов и повышения выхода годных диодов....
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Kherson National Technical University
2018-03-01
|
| Series: | Biomedicinskaâ Inženeriâ i Èlektronika |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://journals.uran.ua/index.php/2311-1100/article/view/126858 |