Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям
У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено методики моделювання наногетероструктур з урахуванням квантових ефектів та специфічних для потрійних сполук механізмів розсіяння. На основі системи релаксаційних рівнянь...
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2019-04-01
|
| Series: | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elc.kpi.ua/article/view/169269 |