مقاله پژوهشی: مطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs
در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشا...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Alzahra University
2019-09-01
|
| Series: | فیزیک کاربردی ایران |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jap.alzahra.ac.ir/article_4689_274bbef04fa0b33d5332194287217261.pdf |