Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2 Resistivity of the film deposited via sol-gel and oxidation state of Ce doping in SnO2 matrix

Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2 Resistivity of the film deposited via sol-gel and oxidation state of Ce doping in SnO2 matrix

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Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura...

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Bibliographic Details
Main Authors: L. V. A. Scalvi, T. F. Pineiz, M. A. L. Pinheiro, M. J. Saeki, V. Briois
Format: Article
Language:English
Published: Associação Brasileira de Cerâmica 2011-09-01
Series:Cerâmica
Subjects:
dióxido de estanho
filmes finos
cério
terras-raras
transporte elétrico
tin dioxide
thin films
cerium
rare-earth
electrical transport
Online Access:http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132011000300019

Internet

http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132011000300019

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