ÉPITAXIE SÉLECTIVE ET PROPRIÉTÉS OPTIQUES, ÉLECTRIQUES DES ÎLOTS QUANTIQUES DE GERMANIUM SUR SILICIUM (001)

L'objectif de cette thèse consiste à développer une nouvelle approche d'élaboration des îlots quantiques de Ge sur substrat de Si(001) par épitaxie sélective et à étudier les propriétés optiques et électriques de ces îlots. Deux méthodes d'épitaxie sélective ont été utilisées. La prem...

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Bibliographic Details
Main Author: NGUYEN, Huu Lam
Language:FRE
Published: Université Paris Sud - Paris XI 2004
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007011
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/71/38/PDF/tel-00007011.pdf