Modélisation et simulation du transport quantique dans les transistors MOS nanométriques

La réduction constante de la taille des transistors conduit aujourd'hui à des dispositifs nano-métriques dans lesquels les effets quantiques sont de plus en plus prédominants. Ce travail modélise des transistors MOSFET ultimes et détermine l'impact des effets quantiques dans les architectu...

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Bibliographic Details
Main Author: Bescond, Marc
Language:FRE
Published: Université de Provence - Aix-Marseille I 2004
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008075
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/75/90/PDF/tel-00008075.pdf