Modélisation et simulation du transport quantique dans les transistors MOS nanométriques

La réduction constante de la taille des transistors conduit aujourd'hui à des dispositifs nano-métriques dans lesquels les effets quantiques sont de plus en plus prédominants. Ce travail modélise des transistors MOSFET ultimes et détermine l'impact des effets quantiques dans les architectu...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bescond, Marc
Language:FRE
Published: Université de Provence - Aix-Marseille I 2004
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008075
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/75/90/PDF/tel-00008075.pdf

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