Modélisation et simulation du transport quantique dans les transistors MOS nanométriques
La réduction constante de la taille des transistors conduit aujourd'hui à des dispositifs nano-métriques dans lesquels les effets quantiques sont de plus en plus prédominants. Ce travail modélise des transistors MOSFET ultimes et détermine l'impact des effets quantiques dans les architectu...
Main Author: | Bescond, Marc |
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Language: | FRE |
Published: |
Université de Provence - Aix-Marseille I
2004
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Subjects: | |
Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008075 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/75/90/PDF/tel-00008075.pdf |
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