ETUDE DE LA CROISSANCE THERMIQUE DES CAVITES INDUITES PAR IMPLANTATION D'HELIUM DANS LE SILICIUM
Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d&#...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université d'Orléans
2003
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008137 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/76/11/PDF/tel-00008137.pdf |